Intel的技術(shù)真的不行了？顯然不是。雖然都叫xxnm，但是對(duì)比之下，Intel無疑是最為嚴(yán)謹(jǐn)?shù)�，一直在追求最高的技術(shù)指標(biāo)，也正因?yàn)槿绱嗽偌由习雽?dǎo)體工藝難度急劇增加，Intel10nm才一直難產(chǎn)。

目前，Intel10nm處理器已經(jīng)小批量出貨，已知產(chǎn)品只有一款低壓低功耗的Corei3-8121U，由聯(lián)想IdeaPad330筆記本首發(fā)。

TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發(fā)現(xiàn)，直接證實(shí)了Intel新工藝的先進(jìn)性。

i3-8121U內(nèi)核局部顯微照片

分析發(fā)現(xiàn)，Intel10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術(shù)，晶體管密度達(dá)到了每平方毫米1.008億個(gè)(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對(duì)比，三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個(gè)，僅相當(dāng)于Intel的一半多點(diǎn)，7nm則是每平方毫米1.0123億個(gè)，勉強(qiáng)高過Intel10nm。

至于臺(tái)積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

換言之，僅就晶體管集成度而言，Intel10nm的確和對(duì)手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel10nm的最小柵極間距(GatePitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(MetalPitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠(yuǎn)勝對(duì)手。

事實(shí)上與現(xiàn)有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel10nm擁有最好的間距縮小指標(biāo)。

Intel 10nm的其他亮點(diǎn)還有：

－BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，后者是一種貴金屬

－BEOL后端和接觸位上首次使用自對(duì)齊曝光方案(self-alignedpatterningscheme)

－6.2-Track高密度庫(kù)實(shí)現(xiàn)超級(jí)縮放(Hyperscaling)

－Cell級(jí)別的COAG(Contactonactivegate)技術(shù)

當(dāng)然了，技術(shù)指標(biāo)再先進(jìn)，最終也要轉(zhuǎn)換成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，才算數(shù)。