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三菱電機規(guī)劃建設(shè)新晶圓廠,強化布局SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)
日期:2023-03-22 17:32

到2026年3月,之前的5年投資計劃將翻一番,達到2600億日元左右



圖 | 新規(guī)劃8英寸SiC晶圓廠房


三菱電機集團近日宣布,將之前宣布的投資計劃(到2026年3月)翻一番,達到約2600億日元,用于建造一座新的晶圓廠,以增加碳化硅(SiC)功率半導體的產(chǎn)量。根據(jù)該計劃,三菱電機將對電動汽車用SiC功率半導體快速增長的需求做出反應(yīng),以及滿足需要低能耗、高溫運行或高速開關(guān)等不斷擴大的新應(yīng)用領(lǐng)域。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節(jié)能和脫碳的綠色轉(zhuǎn)型趨勢做出貢獻。

此次投資的追加部分(約1000億日元)主要將用于建造一座新

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