戰(zhàn)略新變革：三菱電機(jī)為功率半導(dǎo)體按下“加速鍵”
日期:
2023-08-31 11:23
物半導(dǎo)體技術(shù)、利用自主研發(fā)溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET所實現(xiàn)的低功耗芯片技術(shù)、業(yè)界頂尖的小型化與輕量化模塊技術(shù)等。三菱電機(jī)功率器件制作所首席技術(shù)顧問Gourab Majumdar 博士也在發(fā)布會上就三菱電機(jī)的技術(shù)進(jìn)展做了充分的補(bǔ)充，包括硅基和碳化硅基兩個方面。
以硅基芯片為例，三菱電機(jī)研發(fā)的硅基IGBT芯片從第3代IGBT到現(xiàn)在第7代IGBT，面積越來越小，每一代IGBT的損耗也在不斷降低。當(dāng)前，三菱電機(jī)已經(jīng)推出采用更精細(xì)結(jié)構(gòu)概念、更新工藝技術(shù)的新型RC-IGBT芯片。據(jù)悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳
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