戰(zhàn)略新變革：三菱電機(jī)為功率半導(dǎo)體按下“加速鍵”
日期:
2023-08-31 11:23
的RC-IGBT降低了50%左右。
為了進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢，整合優(yōu)勢技術(shù)資源，2023年7月，三菱電機(jī)宣布，已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化并加速放量的階段，三菱電機(jī)為搶占技術(shù)先機(jī)按下了快捷鍵。
三菱電機(jī)期望通過將其在低能量損耗、高可靠性功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造方面的專業(yè)知識(shí)與Novel Crystal Technology在鎵生產(chǎn)方面的專業(yè)知識(shí)相結(jié)合，加速其卓越節(jié)能氧化鎵功率半導(dǎo)體的開發(fā)。
三菱電機(jī)功率器件制作所高級(jí)技術(shù)顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模
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