近日，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，最新發(fā)布第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。該800安培(A) QDual3模塊基于新的場截止第7代(FS7) IGBT技術(shù)，帶來業(yè)界領(lǐng)先的能效表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設(shè)計(jì)。   應(yīng)用于150千瓦的逆變器中時，QDual3模塊的損耗比同類最接近的競品少200瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設(shè)計(jì)，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能[登陸后可查看全文]