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比RAM快媲美SSD 中芯國際投產(chǎn)40nm ReRAM

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     有消息稱,中芯國際與Crossbar合作研發(fā)的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)已經(jīng)在中芯國際正式投入生產(chǎn)! Crossbar公司成立于2010年,拿到了包括中國北極光創(chuàng)投在內(nèi)提供的8000萬美元風(fēng)投,2016年3月宣布與中芯國際達(dá)成合作,發(fā)力中國市場,中芯國際將采用自家的40nm CMOS工藝試產(chǎn)ReRAM芯片。 ReRAM代表電阻式RAM,是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集于一身的新一代存儲(chǔ)技術(shù),關(guān)閉電源后仍能保存數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的計(jì)算機(jī)將幾乎不再需要載入時(shí)間。   ReRAM的名字中雖然[登陸后可查看全文]
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