晶圓龍頭臺積電先進制程技術再次向前大步躍進，看好快充電源管理IC市場潛力，協(xié)同合作伙伴戴樂格半導體(Dialog Semiconductor)，將于明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片，挑戰(zhàn)快充晶片龍頭德儀(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。 喧騰已久氮化鎵制程，臺積電終于宣布跨入氮化鎵先進制程，為合作客戶德商戴樂格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化鎵(GaN-On-Silicon)制程技術，生產首顆氮化鎵手機快充晶片，預計在明年第1季產出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優(yōu)勢，適用于手機及平板等行動快充，將挑戰(zhàn)[登陸后可查看全文]