摘  要：對(duì)功率半導(dǎo)體而言，提高可靠性、延長(zhǎng)生命周期，而成本保持不變或更低，這一直是很多電力電子工程師的不懈追求。從理論上說(shuō)，所有這些改進(jìn)都取決于高功率密度的潛力。隨著時(shí)間的推移，即使半導(dǎo)體本身能持續(xù)改進(jìn)電流密度，熱堆棧及相關(guān)焊接和連接技術(shù)仍然是制約因素。當(dāng)綜合判斷碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的潛力時(shí)，尤其如此。本文提出了一種高可靠性的功率模塊解決方案，即一種可靠性特別高同時(shí)可保持粗線綁定技術(shù)較高的設(shè)計(jì)靈活性的互連技術(shù)。對(duì)于本文提出的解決方案而言，采用低壓燒結(jié)工藝，可完成晶粒粘著。通過(guò)[登陸后可查看全文]