國際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中，“寫入速度”與“非易失性”兩種性能一直難以兼得。記者日前從復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院獲悉，該校張衛(wèi)、周鵬教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，不僅可以實(shí)現(xiàn)“內(nèi)存級(jí)”的數(shù)據(jù)讀寫速度，還可以按需定制存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期。   據(jù)張衛(wèi)介紹，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲(chǔ)，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存，數(shù)據(jù)寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類是非易失性存儲(chǔ)，如U盤，數(shù)據(jù)寫入需要幾微[登陸后可查看全文]