摘  要：傳統(tǒng)硅材料器件在高溫、高壓、高開關(guān)頻率等諸多應(yīng)用領(lǐng)域受到限制，而新型寬禁帶半導(dǎo)體材料（以碳化硅和氮化鎵為代表）的出現(xiàn)突破了電力電子器件的發(fā)展瓶頸，成為未來功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的必然趨勢。本文介紹了碳化硅材料的優(yōu)良特性，碳化硅器件的常用類型、應(yīng)用領(lǐng)域、國內(nèi)外最新研究進(jìn)展，最后總結(jié)了該器件目前發(fā)展存在的問題，并提出建議。 關(guān)鍵詞：寬禁帶半導(dǎo)體；碳化硅；電力電子器件 Abstract: The traditional silicon material devices are limited in many applications, such as high temperature, high vo[登陸后可查看全文]