為應對氣候變化，2020年9月，中國宣布了“2030碳達峰”和“2060碳中和”的愿景。 身處半導體賽道的行業(yè)巨頭們，早就按捺不住內心的渴望，開始向“碳中和”市場進軍。以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體（第三代半導體）成為市場聚焦的新賽道。 碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料，是未來半導體產業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網(wǎng)絡建設、新能[登陸后可查看全文]