全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產(chǎn)品以更小的尺寸帶來(lái)更低的功率損耗。針對(duì)下一代電動(dòng)汽車（EVs）逆變器應(yīng)用，AE5代IGBT產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產(chǎn)。此外，瑞薩將從2024年上半年開始在其位于日本甲府的新功率半導(dǎo)體器件300mm晶圓廠加大生產(chǎn)，以滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。 與當(dāng)前一代AE4產(chǎn)品相比，用于IGBT的硅基AE5工藝可將功率損耗降低10%，這一節(jié)能技術(shù)將有助于EV開發(fā)人員節(jié)省電池[登陸后可查看全文]