1 前言
IGBT（insulated grid bipolar transistor），絕緣柵雙極型晶體管，具有驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低等優(yōu)點(diǎn)，是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷亲冾l器中的關(guān)鍵零件之一。IGBT模塊的壽命及穩(wěn)定性直接影響變頻器的性能。而IGBT模塊本身工作需要承受較大的電流，每秒開關(guān)達(dá)上千次，會(huì)伴隨著開關(guān)損耗和通流損耗的產(chǎn)生，如果對(duì)IGBT模塊無有效的散熱措施，使其溫度超過設(shè)計(jì)結(jié)溫（一般為120~150℃之間），會(huì)導(dǎo)致IGBT模塊燒毀，影響整個(gè)變頻器系統(tǒng)的運(yùn)行。隨著變頻器單機(jī)功率的不斷增大以及電子集成技術(shù)的進(jìn)度，IGBT模塊不斷向高壓、大容量
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