近年來，在材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破下，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。 簡單來說，第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等特點，相比硅基半導(dǎo)體可以降低50%以上的能量損失，同時使裝備體積減小75%以上，在提高能效、系統(tǒng)小型化、提高耐壓等方面具有優(yōu)勢，是助力節(jié)能減排并實現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。 與SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強的潛力，且GaN器件是個平面器件，比現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成[登陸后可查看全文]