當(dāng)下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進(jìn)的發(fā)展，帶來(lái)了萬(wàn)物互聯(lián)、能源效率、未來(lái)出行等多重變革。而在這個(gè)突飛猛進(jìn)的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。   同屬第三代半導(dǎo)體，碳化硅和氮化鎵近年來(lái)不斷發(fā)光發(fā)熱，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的“流量明星”。那么，這兩種材料，誰(shuí)的市場(chǎng)前景更大呢？   碳化硅和氮化鎵：在不同引擎驅(qū)動(dòng)下前進(jìn)     碳化硅和氮化鎵都具有禁帶寬度大、電子漂移飽和速度高、導(dǎo)電性能好等特點(diǎn)，這就決定了碳化硅與氮化鎵有部分重疊的應(yīng)用領(lǐng)域，雙方均可應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、光伏[登陸后可查看全文]