近年來，在材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破下，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。 簡(jiǎn)單來說，第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等特點(diǎn)，相比硅基半導(dǎo)體可以降低50%以上的能量損失，同時(shí)使裝備體積減小75%以上，在提高能效、系統(tǒng)小型化、提高耐壓等方面具有優(yōu)勢(shì)，是助力節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。 與SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強(qiáng)的潛力，且GaN器件是個(gè)平面器件，比現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，這使其更容易與其他半導(dǎo)體[登陸后可查看全文]