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日本開(kāi)發(fā)新技術(shù),可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

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當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日,沖電氣工業(yè)株式會(huì)社(OKI)與信越化學(xué)合作,宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù),該技術(shù)使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術(shù),從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST(Qromis襯底技術(shù))基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材上。   該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。   GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注,尤其在1800V以上高[登陸后可查看全文]
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