近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。   碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體是國(guó)家“十四五”規(guī)劃綱要中重點(diǎn)關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項(xiàng)目，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導(dǎo)熱等特點(diǎn)，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢(shì)，在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來(lái)越普及。     智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量[登陸后可查看全文]