對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。   1 對(duì)導(dǎo)通損耗的影響   無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門極溝道影響外，還和芯片的厚度有[登陸后可查看全文]