今年以來，瑞薩、羅姆、英飛凌等多家半導(dǎo)體企業(yè)先后加碼碳化硅，而據(jù)最新消息，富士電機(jī)也準(zhǔn)備加入這場(chǎng)戰(zhàn)局。 據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，富士電機(jī)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元規(guī)模，重點(diǎn)將放在用于純電動(dòng)汽車(EV)電力控制等的功率半導(dǎo)體上，計(jì)劃在日本國(guó)內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能，意在抓住不斷擴(kuò)大的需求，帶動(dòng)下一個(gè)增長(zhǎng)。 在截至2023年度的為期5年的現(xiàn)有中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃中，富士電機(jī)一直以每年400億日元的速度在半導(dǎo)體領(lǐng)域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃將改為每年700億日元，加[登陸后可查看全文]