近日，北京科技大學張錚教授團隊和張躍院士團隊在二維半導體材料低功耗器件架構(gòu)方面取得進展。研究成果以“自偏置二硫化鉬晶體管基同質(zhì)結(jié)負載型反相器用于亞皮瓦級計算”為題，于2024年1月8日發(fā)表在《自然·電子》上。 隨著集成電路制程節(jié)點的不斷推進，傳統(tǒng)硅基CMOS器件面臨尺寸微縮下高泄漏電流導致的芯片靜態(tài)功耗無法抑制的重大挑戰(zhàn)。二維過渡金屬硫族化合物（TMDCs）材料具有突破尺寸微縮極限的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的輸運性能和對短溝道效應(yīng)的免疫性，是后摩爾時代最具競爭力的集成電路非硅溝道材料之一。 然而，二維半[登陸后可查看全文]