隨著新能源汽車的需求增加，市場(chǎng)對(duì)碳化硅的關(guān)注度逐漸提高，而與碳化硅同為寬禁帶半導(dǎo)體的氮化鎵也同樣受到企業(yè)青睞。 2024年1月，瑞薩電子收購估值約為3.5億美元的全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。在更早些時(shí)候，功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)英飛凌斥資8.3億美元收購氮化鎵企業(yè)GaN Systems，企業(yè)的種種舉措，搭建起了氮化鎵新一輪的競(jìng)爭(zhēng)要地。   功率器件將成為新的增長(zhǎng)點(diǎn) 根據(jù)氮化鎵延長(zhǎng)層所生長(zhǎng)的襯底（碳化硅襯底、硅襯底、藍(lán)寶石襯底）不同，氮化鎵主要有三大應(yīng)用領(lǐng)域。碳化硅襯底+氮化鎵外延層可制成射頻器件，應(yīng)用于[登陸后可查看全文]