3月7日，日本NGK（礙子）公司宣布將投資50億日元（約合人民幣2.44億元）擴大絕緣散熱電路板（以氮化硅基板進行金屬化和蝕刻）生產(chǎn)能力的決定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。   由于（SiC）功率半導(dǎo)體越來越多地被采用，就要求該系統(tǒng)在大功率的高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運行，氮化硅絕緣散熱電路板以高導(dǎo)熱和高機械強度而在目前用于控制電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）電機的逆變器，實現(xiàn)高可靠性和優(yōu)異的散熱特性。   如上圖所示，NGK擁有的自主接合（活性金屬釬焊AMB）技術(shù)，可以讓氮化硅陶瓷基板和銅板之間[登陸后可查看全文]