2024年3月12日，英飛凌科技股份公司（推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。   CoolSiC 650V-1200V   CoolSiC™ MOSFET Generation 2(G2)技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。這為光伏、儲能、[登陸后可查看全文]