3月6日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下文簡稱“東芝”）宣布，公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設(shè)備的第三代碳化硅（SiC）1700V、漏極電流（DC）額定值為250A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”，并擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。     據(jù)介紹，新產(chǎn)品MG250V2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.8V的低漏源導(dǎo)通電壓。它還具有低開關(guān)損耗，導(dǎo)通開關(guān)損耗低至18mJ，關(guān)斷開關(guān)損耗低至11mJ。這有助于減小設(shè)備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。MG250V2YMS3具有12nH的低雜散電感，并且能夠進(jìn)行高速開關(guān)。 此外，它還能抑制開關(guān)操作時的浪涌[登陸后可查看全文]