日本信越化學(xué)當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月3日宣布成功開發(fā)出用于氮化鎵GaN外延生長的300mm（IT之家注：一般也稱12英寸）的QST襯底，并已從近期開始向客戶供應(yīng)相關(guān)樣品。
相較于以12英寸晶圓為主流的硅半導(dǎo)體，氮化鎵生產(chǎn)目前仍集中在6英寸與8英寸上，這其中部分是因?yàn)榈壓凸锜岽嬖跓崤蛎浵禂?shù)差異，大尺寸硅基襯底容易導(dǎo)致在其上生長的氮化鎵外延層出現(xiàn)翹曲與開裂。
信越化學(xué)的QST襯底技術(shù)源自美國企業(yè)Qromis的專利授權(quán)，這一復(fù)合材料具有同氮化鎵更為接近的熱膨脹系數(shù)，減少了大尺寸襯底上氮化鎵外延層出現(xiàn)缺陷的風(fēng)險(xiǎn)，更適宜大厚度、高電壓氮化鎵器
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