英飛凌科技股份公司最近宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于200mm晶圓，300mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了2.3倍，效率也顯著提高。
300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓
基于GaN的功率半導(dǎo)體正在工業(yè)、汽車(chē)、消費(fèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用中快速普及，包括AI系統(tǒng)電源、太陽(yáng)能逆變器、充電器和適
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