·安森美 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET而設(shè)計(jì)�！陡邏簴艠O驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。   圖1顯示了HVIC的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級(jí)、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)。柵極驅(qū)動(dòng)器損[登陸后可查看全文]