日本住友化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社開發(fā)了一種孔隙輔助分離（PAS）法，用于制造自支撐氮化鎵（GaN）襯底[Masafumi Yokoyama et al Appl. Phys. Express, v17, p055502, 2024]。
研究人員評(píng)論道：“我們預(yù)計(jì)，所提出的方法將為實(shí)現(xiàn)具有良好生產(chǎn)率的更大尺寸自支撐GaN襯底開辟一條道路。”
住友認(rèn)為，要想應(yīng)對(duì)人類活動(dòng)對(duì)全球氣候的不良影響，提高電氣系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率是其中一個(gè)關(guān)鍵因素�；贕aN的器件正是為此目的而開發(fā)，因?yàn)榕c硅等傳統(tǒng)電子材料相比，這種寬禁帶材料能夠承受更大的電壓和功率密度。
研究
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