在韓國文化體育觀光部的支持下，韓國政府資助的非營利性電子通信研究院（ETRI）與韓國陶瓷工程技術(shù)研究所（KICET）合作，開發(fā)出了氧化鎵（Ga2O3）功率半導(dǎo)體的核心材料和器件工藝技術(shù)，即韓國開發(fā)的首款3kV級(jí)氧化鎵功率半導(dǎo)體金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件。   氧化鎵作為下一代功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，一直受到世界各國的積極研究。日本和美國在這一領(lǐng)域一直占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，但韓國電子通信研究院認(rèn)為其發(fā)展已將差距縮小。 圖片：Mun Jae-kyoung博士的研究團(tuán)隊(duì)   3kV級(jí)適用于城市軌道、地鐵和超高速[登陸后可查看全文]