羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM Semiconductor)近日宣布，將與臺(tái)灣的臺(tái)積電(TSMC)進(jìn)一步加強(qiáng)合作，委托臺(tái)積電生產(chǎn)650V耐壓的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體。這一合作標(biāo)志著羅姆在GaN技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步布局，也顯示出臺(tái)積電在高性能半導(dǎo)體制造方面的實(shí)力和影響力。 氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體因其優(yōu)越的性能，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。GaN器件具有更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓能力，因此在電源管理、消費(fèi)電子、汽車及可再生能源等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。羅姆半導(dǎo)體早在2023年就宣布量產(chǎn)650V耐壓的GaN產(chǎn)品，并與臺(tái)達(dá)電(Delta[登陸后可查看全文]