遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。   本次測(cè)試采用遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應(yīng)對(duì)1000V輸入電壓下的開關(guān)測(cè)試需求，在靜態(tài)測(cè)試條件下，1700V時(shí)測(cè)得反偏漏電流Idss = 4.48uA（Vgs = -8V）。 [登陸后可查看全文]