在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的所有相關(guān)半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。 英飛凌在其 《2025年GaN功率半導體預測報告》中強調(diào)，GaN將成為影響游戲規(guī)則的半導體材料，它將極大改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優(yōu)勢，包括提高性能效率、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器在GaN[登陸后可查看全文]