近日，馬自達(dá)與羅姆宣布聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)   據(jù)悉，兩家公司2022年起，在“針對(duì)電驅(qū)動(dòng)單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的逆變器的聯(lián)合開發(fā)。此次，雙方著手開發(fā)采用GaN功率半導(dǎo)體的汽車零部件，旨在為下一代電動(dòng)汽車打造創(chuàng)新型汽車零部件。 與傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體相比，氮化鎵不僅能夠抑制功率轉(zhuǎn)換過程中的損耗，還可高頻驅(qū)動(dòng)，有助于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。 馬自達(dá)與羅姆將利用[登陸后可查看全文]