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納微半導體發(fā)布全球雙向氮化鎵開關

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3月12日,納微半導體重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast™氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器,通過單級BDS(雙向開關)變換器實現(xiàn)電源技術范式躍遷。該技術將推動傳統(tǒng)雙級拓撲向單級架構轉型,目標市場涵蓋電動汽車充電(車載充電機OBC及充電樁)、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及電機驅動等領域,開啟數(shù)十億美元級市場機遇。 目前,超過70%的高壓功率變換器采用雙級拓撲,例如AC-DC車載充電機需先經(jīng)PFC級,再經(jīng)DC-DC級,并依賴笨重的直流母線電容緩沖,復雜的架構導致此類系統(tǒng)體積龐大、能效低下且成本高昂。雙向GaNFast™氮[登陸后可查看全文]
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