氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。 為了解決這個(gè)問(wèn)題，英飛凌推出采用RQFN 5x6封裝的 CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高性能GaN晶體管。   CoolGaN™ G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合   英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人Antoine Jalabert博士表示，這兩款新器件兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET封裝，滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化封裝[登陸后可查看全文]