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國際首創(chuàng)!九峰山實(shí)驗(yàn)室8英寸GaN襯底材料新突破

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3月22日,九峰山實(shí)驗(yàn)室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果,包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺;動態(tài)遠(yuǎn)距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗(yàn)證。成果覆蓋了GaN產(chǎn)業(yè)鏈的上下游,包括材料、器件設(shè)計(jì)、應(yīng)用。 九峰山實(shí)驗(yàn)室8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底   九峰山實(shí)驗(yàn)室成立于2021年,是湖北省級實(shí)驗(yàn)室,聚焦化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與創(chuàng)新,目標(biāo)是打造全球化合物半導(dǎo)體的平臺、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的“燈塔”。實(shí)驗(yàn)室總投資82億元,建有國內(nèi)領(lǐng)先、全球一流的量產(chǎn)級研發(fā)平臺,并在中[登陸后可查看全文]
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