近日，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目，經(jīng)過(guò)8個(gè)月緊張有序地建設(shè)后，正式舉行全面封頂。 士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。該項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。 據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)[登陸后可查看全文]