2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導(dǎo)體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。這一成果，標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體成為國(guó)際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)的企業(yè)，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄，也創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級(jí)一個(gè)尺寸的行業(yè)記錄。 鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)及電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，是衡量一個(gè)國(guó)家科技水平與綜合國(guó)力的重要標(biāo)志。半導(dǎo)[登陸后可查看全文]