近日，《應(yīng)用物理快報(bào)》刊登了一篇名為《藍(lán)寶石基3kV單芯片雙向GaN HEMT》的文章，其作者及研究團(tuán)隊(duì)來(lái)自于威斯康星大學(xué)麥迪遜分校，透露了單片雙向GaN晶體管的最新研究進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)表示，他們通過(guò)優(yōu)化歐姆接觸、場(chǎng)板結(jié)構(gòu)等工藝，開(kāi)發(fā)了基于藍(lán)寶石襯底的3kV單片雙向GaN HEMT，在提升擊穿電壓的同時(shí)保持低導(dǎo)通電阻： ●擊穿電壓：≥3 kV（受限于測(cè)試設(shè)備上限），漏極/柵極漏電流分別穩(wěn)定在90 μA mm−1及2 μA mm−1。 ●導(dǎo)通電阻：20 Ω·mm（對(duì)應(yīng)比導(dǎo)通電阻11mΩ·cm²）[登陸后可查看全文]