4月23日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第四代功率半導(dǎo)體企業(yè)昌龍智芯與化合物半導(dǎo)體研發(fā)平臺(tái)九峰山實(shí)驗(yàn)室正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同推進(jìn)氧化鎵（Ga₂O₃）功率器件全鏈條產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。此次合作涵蓋外延材料研發(fā)、器件設(shè)計(jì)與制造、應(yīng)用場(chǎng)景落地三大核心環(huán)節(jié)，標(biāo)志著我國(guó)在第四代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。 　　雙方將依托昌龍智芯在功率器件設(shè)計(jì)與制造的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，以及九峰山實(shí)驗(yàn)室在化合物半導(dǎo)體材料工藝領(lǐng)域的研發(fā)優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)突破以下方向： 　　1、外延技術(shù)：基于九峰山實(shí)驗(yàn)室的6-8英寸中試線技術(shù)平臺(tái)，優(yōu)化氧化鎵外延薄膜的晶體質(zhì)量[登陸后可查看全文]