近日，揚(yáng)杰科技宣布其SiC車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開(kāi)工。 本次開(kāi)工項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，占地62畝，規(guī)劃建筑面積約11.2萬(wàn)平米，將建設(shè)現(xiàn)代化封裝生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項(xiàng)目聚焦車(chē)規(guī)級(jí)框架式、塑封式IGBT模塊，SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，對(duì)標(biāo)國(guó)際標(biāo)桿，產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)直追國(guó)際領(lǐng)先水平，可實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。 據(jù)了解，項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成年產(chǎn)7500萬(wàn)只高端功率模塊的產(chǎn)能，年銷(xiāo)售額可達(dá)10億元。技術(shù)層面，揚(yáng)杰科技明確對(duì)標(biāo)國(guó)際標(biāo)桿企業(yè)，目標(biāo)將產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)提升至接近國(guó)際領(lǐng)先水平，重點(diǎn)突破車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的可靠[登陸后可查看全文]