全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復急劇升降的開關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。 新產(chǎn)品通過采用ROHM自主開發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實現(xiàn)高達2MHz的高頻驅(qū)動。[登陸后可查看全文]