6月27日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室 聯(lián)合深圳市鵬進(jìn)高科技有限公司，在國產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得重大突破，其成功攻克1200V溝槽柵碳化硅MOSFET芯片核心技術(shù)難題，并構(gòu)建了8英寸工藝平臺，實(shí)現(xiàn)自主知識產(chǎn)權(quán)8英寸高性能1200V溝槽柵碳化硅MOSFET芯片的成功流片，其專利公開號為CN118610269A。 圖片來源：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室 圖為8英寸高性能溝槽柵SiC MOSFET結(jié)構(gòu)（專利）示意圖及芯片剖面圖   該芯片的靜態(tài)性能指標(biāo)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低比導(dǎo)通電阻（<2.1mΩ·cm²），優(yōu)于國際主流高可靠廠商的技術(shù)水平（如[登陸后可查看全文]