近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導體會議（ICNS-15）并作邀請報告（Invited Talk）。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術(shù)上的原創(chuàng)性突破及應用前景。 廣東致能團隊全球首創(chuàng)在硅襯底上實現(xiàn)垂直GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及垂直二維電子氣溝道（2DEG）的直接外延生長，通過精準工藝調(diào)控，制備出低位錯密度的氮化鎵鰭狀結(jié)構(gòu)，該方法具備極高的外延結(jié)構(gòu)設計自由度。 基于這一創(chuàng)新平臺，團隊成功研制出全球首個具有垂直2DEG溝道的常開型器件（D-mode VHEMT）及閾值電壓可調(diào)的常關(guān)型器件（E[登陸后可查看全文]