華為公司與山東大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日聯(lián)合宣布，他們?cè)诟邏弘娏﹄娮悠骷I(lǐng)域取得了重大突破。雙方成功開發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術(shù)創(chuàng)新——氟注入終端（FIT-MOS）技術(shù)——顯著提升了器件的性能，使其達(dá)到了與成本高昂的GaN襯底器件相當(dāng)?shù)乃健＿@項(xiàng)研究成果為千伏級(jí)電力電子系統(tǒng)提供了極具成本效益的解決方案。
該研究成果已以《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》為題，發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)期刊《IEEE電子器件快報(bào)》（IEEE Electron Device Letters）上。
圖片來(lái)源：IEE
[登陸后可查看全文]
