·英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 周明 本文介紹了新的CooSiC™ 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK™ 3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效率，并簡化了設(shè)計。   1、介紹   最新的光伏太陽能、儲能和高功率充電器（1500 VDC）應(yīng)用要求更高的電壓裕量，以確保系統(tǒng)安全運行。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET被設(shè)計為在高電壓和高開關(guān)頻率下提供更高的[登陸后可查看全文]