8月6日，根據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級(jí)器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對(duì)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   圖片來(lái)源：九峰山實(shí)驗(yàn)室   據(jù)介紹，此次推出的科研樣品分為兩種IP結(jié)構(gòu)，一種是基于#九峰山實(shí)驗(yàn)室 完全自主IP的SiC膠囊型溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，結(jié)合優(yōu)化設(shè)計(jì)的新型終端技術(shù)，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一種是基于九峰山實(shí)驗(yàn)室完全自主IP的SiC雙[登陸后可查看全文]