近期，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協(xié)議。
天岳先進表示，雙方將針對SiC功率半導體特性提升與品質(zhì)改善的技術協(xié)作，以及運用合作成果擴大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進或相互協(xié)作的具體事項展開詳細磋商。
據(jù)悉，東芝電子元件以鐵路用SiC功率半導體的開發(fā)、制造及供應實績?yōu)榛A，正加速推進服務器電源用、車載用等SiC器件開發(fā)，未來將致力于進一步降低SiC功率半
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