富士電機(jī)推出業(yè)界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET
日期:2011-12-28 14:00
上市目的
如今，人們對地球環(huán)境越來越關(guān)心，在不斷清潔化的IT領(lǐng)域及新能源等領(lǐng)域中，可實(shí)現(xiàn)高效電力變換的功率半導(dǎo)體受到廣泛矚目。其中，MOSFET注1作為電力轉(zhuǎn)換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機(jī)推出的Super J-MOS系列產(chǎn)品，采用具有新開發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結(jié)構(gòu)注2，可大幅度地降低損耗。據(jù)此，可通過提高設(shè)備的電力變換效率減少耗電，為實(shí)現(xiàn)低碳社會作貢獻(xiàn)。
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